Molecular memory cell

   
   

A memory cell is provided with a pair of electrodes, and an active layer sandwiched between the electrodes and including a molecular system and ionic complexes distributed in the molecular system. The active layer having a high-impedance state and a low-impedance state switches from the high-impedance state to the low-impedance state when an amplitude of a writing signal exceeds a writing threshold level, to enable writing information into the memory cell. The active layer switches from the low-impedance state to the high-impedance state when an amplitude of an erasing signal having opposite polarity with respect to the writing signal exceeds an erasing threshold level, to enable erasing information from the memory cell.

Una célula de memoria se proporciona un par de electrodos, y una capa activa intercalada entre los electrodos e incluir un sistema molecular y los complejos iónicos distribuidos en el sistema molecular. La capa activa que tiene un estado high-impedance y una bajo-impedancia indican los interruptores del estado high-impedance al estado de la bajo-impedancia cuando una amplitud de una señal de escritura excede un límite de alarma de la escritura, para permitir la información de la escritura en la célula de memoria. La capa activa cambia del estado de la bajo-impedancia al estado high-impedance cuando una amplitud de una señal que borra que tiene enfrente de polaridad con respecto a la señal de escritura excede un límite de alarma que borra, para permitir borrar la información de la célula de memoria.

 
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