A semiconductor integrated circuit device according to an embodiment of the
present invention has an MIM structure capacitor connected between a power
source potential electrode wiring and a ground potential electrode wiring
each via at least one interlayer connection wiring.
Un dispositivo del circuito integrado del semiconductor según una encarnación de la actual invención tiene un condensador de la estructura MIM conectado entre un cableado potencial del electrodo de la fuente de energía y un electrodo potencial de tierra que atan con alambre cada uno vía por lo menos un cableado de la conexión de la capa intermediaria.
