Thin film transistor for supplying power to element to be driven

   
   

An EL element (50) having an organic emissive layer or the like between the anode and cathode is used as an element to be driven, and an element driving TFT (20) for controlling the current supplied to the EL element (50) and a compensation thin film transistor (30) having an opposite conductive characteristic as the element driving TFT (20) are provided between the EL element (50) and the power supply line VL. With this structure, variation in the current supplied to each EL element (50) is reduced.

Un elemento del EL (50) que tiene una capa emissive orgánica o similares entre el ánodo y cátodo se utiliza como un elemento que se conducirán, y elemento conduciendo TFT (20) para controlar el actual provisto al elemento del EL (50) y un transistor de la película fina de la remuneración (30) que tiene una característica conductora opuesta mientras que el elemento que conduce TFT (20) se proporciona entre el elemento del EL (50) y la línea VL de la fuente de alimentación. Con esta estructura, la variación en la corriente provista a cada elemento del EL (50) se reduce.

 
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