Semiconductor device and method of manufacturing the same

   
   

The present invention is to improve yield and reliability in a wiring step of a semiconductor device. When an Al wiring on an upper layer is connected through an connection pillar onto an Al wiring on a lower layer embedded in a groove formed on an interlayer insulation film, a growth suppression film having an opening whose width is wider than that of the Al wiring is formed on the interlayer insulation film and the Al wiring. In this condition, Al and the like are grown by a selective CVD method and the like. Accordingly, the connection pillar is formed on the Al wiring within the opening, in a self-matching manner with respect to the Al wiring.

Η παρούσα εφεύρεση είναι να βελτιωθεί η παραγωγή και η αξιοπιστία σε ένα βήμα καλωδίωσης μιας συσκευής ημιαγωγών. Όταν μια καλωδίωση Al σε ένα ανώτερο στρώμα συνδέεται μέσω ενός στυλοβάτη σύνδεσης επάνω σε μια καλωδίωση Al σε ένα χαμηλότερο στρώμα που ενσωματώνεται σε ένα αυλάκι που διαμορφώνεται σε μια ταινία μόνωσης ενδιάμεσων στρωμάτων, μια ταινία καταστολής αύξησης που έχει ένα άνοιγμα ποιου πλάτος είναι ευρύτερο από αυτό του Al που συνδέει με καλώδιο διαμορφώνεται στην ταινία μόνωσης ενδιάμεσων στρωμάτων και την καλωδίωση Al. Σε αυτόν τον όρο, το Al και οι όμοιοι αυξάνονται με μια εκλεκτική cvd μέθοδο και τους ομοίους. Συνεπώς, ο στυλοβάτης σύνδεσης διαμορφώνεται στην καλωδίωση Al μέσα στο άνοιγμα, με έναν μόνος-ταιριάζοντας με τρόπο όσον αφορά την καλωδίωση Al.

 
Web www.patentalert.com

< Nitride semiconductor wafer and method of processing nitride semiconductor wafer

< Fuel cell and method of operating the same

> Information processing apparatus, method and program for displaying one or more characters on a plurality of application display areas responsive to scenario information

> Gain control circuit, and a radio communication apparatus using the same

~ 00170