Refractory metal nitride barrier layer with gradient nitrogen concentration

   
   

Within a microelectronic fabrication and a method for fabricating the microelectronic fabrication a barrier layer is formed over a substrate. Within the method and the microelectronic fabrication the barrier layer is formed of a refractory metal nitride barrier material having within its thickness a gradient in nitrogen concentration. The barrier layer has low resistivity and improved electromigration performance.

Dentro de uma fabricação microelectronic e de um método para fabricar a fabricação microelectronic um a camada de barreira é dado forma sobre uma carcaça. Dentro do método e da fabricação microelectronic a camada de barreira é dada forma de um material refratário da barreira do nitride do metal que tem dentro de sua espessura um gradient na concentração do nitrogênio. A camada de barreira tem o resistivity baixo e o desempenho melhorado do electromigration.

 
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