An apparatus and method of chemical mechanical polishing (CMP) of a wafer
employing a device for determining, in-situ, during the CMP process, an
endpoint where the process is to be terminated. This device includes a
laser interferometer capable of generating a laser beam directed towards
the wafer and detecting light reflected from the wafer, and a window
disposed adjacent to a hole formed through a platen. The window provides a
pathway for the laser beam during at least part of the time the wafer
overlies the window.
Apparaten en een methode van het chemische mechanische oppoetsen (CMP) van een wafeltje dat een apparaat om te bepalen aanwendt, in situ, tijdens het proces CMP, een eindpunt waar het proces moet worden geëindigd. Dit apparaat omvat een laserinterferometer geschikt om een laserstraal te produceren die naar het wafeltje wordt geleid en licht te ontdekken dat van het wafeltje wordt weerspiegeld, en een venster dat naast een gat wordt geschikt dat door een drukcilinder wordt gevormd. Het venster verstrekt een weg voor de laserstraal tijdens minstens een deel van de tijd het wafeltje het venster bedekt.
