Nitride semiconductor device

   
   

A nitride semiconductor element exhibiting low leakage current and high ESD tolerance includes an active layer of nitride semiconductor that is interposed between a p-sided layer and an n-sided layer, which respectively consist of a plurality of nitride semiconductor layers, the p-side layer including a p-type contact layer as a layer for forming p-ohmic electrodes, the p-type contact layer being formed by laminating p-type nitride semiconductor layers and n-type nitride semiconductor layers in an alternate manner.

Элемент полупроводника нитрида exhibiting низкий допуск утечки в настоящее время и высокий ESD вклюает активно слой полупроводника нитрида interposed между, котор п-vstali на сторону слоем и, котор н-vstali на сторону слоем, который соответственно состоят множественности слоев полупроводника нитрида, слоя п-storony включая слой контакта п-tipa как слой для формировать п-omovskie электроды, слой контакта п-tipa будучи сформированными путем прокатывая слои полупроводника нитрида п-tipa и слои полупроводника нитрида н-tipa в другом образе.

 
Web www.patentalert.com

< Injection laser

< Phosphors containing oxides of alkaline-earth and Group-IIIB metals and light sources incorporating the same

> Surface optical device apparatus, method of fabricating the same, and apparatus using the same

> Scalable LED with improved current spreading structures

~ 00170