A method of removing a photoresist or a photoresist residue from a
semiconductor substrate is disclosed. The semiconductor substrate with the
photoresist or the photoresist residue on a surface of the semiconductor
substrate is placed within a pressure chamber. The pressure chamber is
then pressurized. Supercritical carbon dioxide and a stripper chemical are
introduced to the pressure chamber. The supercritical carbon dioxide and
the stripper chemical are maintained in contact with the photoresist or
the photoresist residue until the photoresist or the photoresist residue
is removed from the semiconductor substrate. The pressure chamber is then
flushed and vented.
Um método de remover um photoresist ou um resíduo do photoresist de uma carcaça do semicondutor é divulgado. A carcaça do semicondutor com o photoresist ou o resíduo do photoresist em uma superfície da carcaça do semicondutor é colocada dentro de uma câmara de pressão. A câmara de pressão é pressurizada então. O dióxido de carbono supercritical e um produto químico do stripper são introduzidos à câmara de pressão. O dióxido de carbono supercritical e o produto químico do stripper são mantidos no contato com o photoresist ou o resíduo do photoresist até o photoresist ou o resíduo do photoresist são removidos da carcaça do semicondutor. A câmara de pressão então é nivelada e exalada.
