A coupling grating formed as a line grating with a grating period between
100 nm and 2500 nm, a substrate (1) is covered with a photoresist layer
(10) and exposed for instance at the Lithrow angle (.THETA..sub.L) or at
0.degree. to a mercury-vapour lamp (11) via a folding mirror (13, 13')
through a phase mask (14) in the near field of which the photoresist layer
is arranged, then structured by reactive ion etching and provided with a
transparent layer by reactive DC magnetron sputtering, particularly pulsed
DC sputtering or AC-superimposed DC sputtering. The phase mask (14) is
structured in advance with the laser two-beam interference method. The
process is particularly suited for the production of optical elements,
particularly evane-scent field sensor plates and optical couplers for
communications technology which can be employed in particular as filters
for wavelength multiplexing in fibre-optic networks.
Um grating do acoplamento dado forma como uma linha grating com um período grating entre 100 nm e 2500 nm, uma carcaça (1) é coberto com uma camada de photoresist (10) e exposto por exemplo no ângulo de Lithrow (THETA..sub.L) ou em 0.degree. a uma lâmpada do mercúrio-vapor (11) através de um espelho dobrando-se (13, 13 ') através de uma máscara da fase (14) no campo próximo de que a camada de photoresist é arranjada, estruturado então gravura a água-forte reactive do íon e desde que com uma camada transparente sputtering reactive do magnétron da C.C., particularmente pela C.C. pulsada sputtering ou sputtering C. A.-sobreposto da C.C.. A máscara da fase (14) é estruturada adiantado com o método da interferência do dois-feixe do laser. O processo é servido particularmente para a produção de elementos óticos, particularmente de placas de sensor evane-scent do campo e de acopladores óticos para a tecnologia de comunicações que pode ser empregada no detalhe como filtros para o wavelength que multiplexing em redes fibre-optic.
