An inventive semiconductor device includes: a substrate; a plurality of
first projections each including at least a gate electrode and formed on
the substrate; and a plurality of second projections formed on the
substrate. When a contour surface constituted by the uppermost face of the
substrate and by side and upper faces of the first and second projections
is measured for every partial area per unit area of the substrate, the
maximum partial area of the contour surface is 1.6 or less times larger
than the minimum partial area of the contour surface.
Un dispositivo inventivo a semiconduttore include: un substrato; una pluralità di prime proiezioni ciascuno compreso almeno un elettrodo di cancello e formata sul substrato; e una pluralità di seconde proiezioni ha formato sul substrato. Quando una superficie di profilo costituita dalla faccia più elevata del substrato e dalle facce laterali e superiori delle prime e seconde proiezioni è misurata per ogni zona parziale per unità di superficie del substrato, la zona parziale massima della superficie di profilo è 1.6 o meno volta più grande della zona parziale minima della superficie di profilo.
