A semiconductor memory device with an improved redundancy scheme is
provided. The semiconductor memory device includes at least one memory
block having a plurality of memory banks that are arranged in a column
direction. Each memory bank includes a plurality of normal memory cells,
which are arranged according to a row and column structure, and at least
one redundancy memory cell to replace defective memory cells. At least one
memory bank, adjacent to an edge of photo shot or an edge of chip, among
the plurality of memory banks includes more redundancy lines than the
other memory banks. In the semiconductor memory device, when memory banks
have different numbers of defective memory cells to be repaired, the
number of redundancy memory cells of each memory bank is differently set,
thus increasing the yield.
Un dispositivo de memoria de semiconductor con un esquema de redundancia mejorado se proporciona. El dispositivo de memoria de semiconductor incluye por lo menos un bloque de la memoria que tiene una pluralidad de bancos de memoria que se arreglen en una dirección de la columna. Cada banco de memoria incluye una pluralidad de células de memoria normales, que se arreglan según una fila y una estructura de la columna, y por lo menos de una célula de memoria de la redundancia para substituir las células de memoria defectuosas. Por lo menos un banco de memoria, adyacente a un borde del tiro de la foto o a un borde de la viruta, entre la pluralidad de bancos de memoria incluye más líneas de la redundancia que los otros bancos de memoria. En el dispositivo de memoria de semiconductor, cuando los bancos de memoria tienen diversos números de las células de memoria defectuosas que se repararán, el número de las células de memoria de la redundancia de cada banco de memoria se fija diferentemente, así aumentando la producción.
