A method of fabricating a bipolar transistor structure that provides unit
current gain frequency (f.sub.T) and maximum oscillation frequency
(f.sub.MAX) improvements of a raised extrinsic base using non-self-aligned
techniques to establish a self-aligned structure. Accordingly, the
invention eliminates the complexity and cost of current self-aligned
raised extrinsic base processes. The invention forms a raised extrinsic
base and an emitter opening over a landing pad, i.e., etch stop layer,
then replaces the landing pad with a conductor that is converted, in part,
to an insulator. An emitter is then formed in the emitter opening once the
insulator is removed from the emitter opening. An unconverted portion of
the conductor provides a conductive base link and a remaining portion of
the insulator under a spacer isolates the extrinsic base from the emitter
while maintaining self-alignment of the emitter to the extrinsic base. The
invention also includes the resulting bipolar transistor structure.
Μια μέθοδος μια διπολική δομή κρυσταλλολυχνιών που παρέχει την τρέχουσα συχνότητα κέρδους μονάδων (f.sub.T) και τις μέγιστες βελτιώσεις συχνότητας ταλάντωσης (f.sub.MAX) μιας αυξημένης εξωγενούς βάσης χρησιμοποιώντας τις μη-μόνος-ευθυγραμμισμένες τεχνικές για να καθιερωθεί μια μόνος-ευθυγραμμισμένη δομή. Συνεπώς, η εφεύρεση αποβάλλει την πολυπλοκότητα και το κόστος μόνος-ευθυγραμμισμένων των ρεύμα αυξημένων εξωγενών διαδικασιών βάσεων. Η εφεύρεση διαμορφώνει μια αυξημένη εξωγενή βάση και ένας εκπομπός που ανοίγει πέρα από ένα προσγειωμένος μαξιλάρι, δηλ., χαράζει το στρώμα στάσεων, κατόπιν αντικαθιστά το προσγειωμένος μαξιλάρι με έναν αγωγό που μετατρέπεται, εν μέρει, σε έναν μονωτή. Ένας εκπομπός διαμορφώνεται έπειτα στον εκπομπό ανοίγοντας μόλις αφαιρεθεί ο μονωτής από το άνοιγμα εκπομπών. Μια αμετάτρεπτη μερίδα του αγωγού παρέχει μια αγώγιμη σύνδεση βάσεων και μια υπόλοιπη μερίδα του μονωτή κάτω από ένα πλήκτρο διαστήματος απομονώνει την εξωγενή βάση από τον εκπομπό διατηρώντας την μόνος-ευθυγράμμιση του εκπομπού στην εξωγενή βάση. Η εφεύρεση περιλαμβάνει επίσης την προκύπτουσα διπολική δομή κρυσταλλολυχνιών.
