A power source circuit includes a CMOS inversion circuit including a
P-channel transistor and an N-channel transistor connected in series
between a power source voltage and a reference potential, the transistors
being alternately turned "on" or "off" by a PWM signal input to a gate of
each transistor with an "on" period of the transistors being controlled,
and being capable of outputting a D.C. voltage to a load via a stabilized
capacitance. The circuit also includes a detection circuit outputting a
detection signal showing a state where an intermediate node potential at a
connection point of the P-channel transistor and the N-channel transistor
surpasses the reference potential after undershooting to a level lower
than the reference potential when the N-channel transistor is turned "on"
during the "off" period of the P-channel transistor. An error amplifier is
provided that obtains an error signal by comparing an output from the CMOS
inversion circuit with a predetermined reference voltage value. A PWM
circuit and output driver are provided that produce a PWM signal of which
a pulse width is controlled by the error signal, supplying the PWM signal
to each gate of the CMOS inversion circuit, controlling the PWM signal
supplied to the gate of the N-channel transistor among PWM signals
supplied to the CMOS inversion circuit by the detection signal from the
detection circuit, and turning "off" an "on" state of the N-channel
transistor.
Ένα κύκλωμα πηγής ισχύος περιλαμβάνει ένα κύκλωμα αντιστροφής CMOS συμπεριλαμβανομένης μιας p-channel κρυσταλλολυχνίας και μιας n-channel κρυσταλλολυχνίας που συνδέονται στη σειρά μεταξύ μιας τάσης πηγής ισχύος και μιας δυνατότητας αναφοράς, οι κρυσταλλολυχνίες διαδοχικά που κλείνονται "" ή "" με μια εισαγωγή σημάτων PWM σε μια πύλη κάθε κρυσταλλολυχνίας με "" στην περίοδο κρυσταλλολυχνιών που ελέγχεται, και όντας σε θέση μια τάση ΣΥΝΕΧΟΎΣ ΡΕΎΜΑΤΟΣ σε ένα φορτίο μέσω μιας σταθεροποιημένης ικανότητας. Το κύκλωμα περιλαμβάνει επίσης ένα κύκλωμα ανίχνευσης poy ένα σήμα ανίχνευσης που παρουσιάζει σε ένα κράτος όπου μια ενδιάμεση δυνατότητα κόμβων σε ένα σημείο σύνδεσης της p-channel κρυσταλλολυχνίας και της n-channel κρυσταλλολυχνίας ξεπερνά τη δυνατότητα αναφοράς μετά από σε ένα επίπεδο χαμηλότερο από τη δυνατότητα αναφοράς όταν γυρίζουν τη n-channel κρυσταλλολυχνία "" κατά τη διάρκεια "από" την περίοδο p-channel κρυσταλλολυχνίας. Ένας ενισχυτής λάθους παρέχεται που λαμβάνει ένα σήμα λάθους με τη σύγκριση μιας παραγωγής από το κύκλωμα αντιστροφής CMOS με μια προκαθορισμένη αξία τάσης αναφοράς. Ένας οδηγός κυκλωμάτων PWM και παραγωγής παρέχεται που παράγει ένα σήμα PWM του οποίου ένα πλάτος σφυγμού ελέγχεται από το σήμα λάθους, που παρέχει το σήμα PWM σε κάθε πύλη του κυκλώματος αντιστροφής CMOS, που ελέγχει το σήμα PWM που παρέχεται στην πύλη της n-channel κρυσταλλολυχνίας μεταξύ των σημάτων PWM που παρέχονται στο κύκλωμα αντιστροφής CMOS από το σήμα ανίχνευσης από το κύκλωμα ανίχνευσης, και που κλείνει "" "" στην κατάσταση της n-channel κρυσταλλολυχνίας.
