A large semiconductor crystal has a diameter of at least 6 inches and a low
dislocation density of not more than 1.times.10.sup.4 cm.sup.-2. The
crystal is preferably a single crystal of GaAs, or one of CdTe, InAs,
GaSb, Si or Ge, and may have a positive boron concentration of not more
than 1.times.10.sup.16 cm.sup.-3 and a carbon concentration of
0.5.times.10.sup.15 cm.sup.-3 to 1.5.times.10.sup.15 cm.sup.-3 with a
uniform concentration throughout the crystal. Such a crystal can form a
very thin wafer with a low dislocation density. A special method and
apparatus for producing such a crystal is also disclosed.
Un grand cristal de semi-conducteur a un diamètre au moins de 6 pouces et d'une basse densité de dislocation de pas davantage que 1.times.10.sup.4 cm.sup.-2. Le cristal est de préférence un cristal simple de GaAs, ou un de CdTe, d'InAs, de GaSb, de silicium ou de GE, et peut avoir une concentration positive en bore de pas davantage que 1.times.10.sup.16 cm.sup.-3 et une concentration en carbone de 0.5.times.10.sup.15 cm.sup.-3 à 1.5.times.10.sup.15 cm.sup.-3 avec une concentration uniforme dans tout le cristal. Un tel cristal peut former une gaufrette très mince avec une basse densité de dislocation. Une méthode et un appareil spéciaux pour produire un tel cristal est également révélée.
