According to one exemplary embodiment, a bipolar transistor comprises a
base having a top surface. The bipolar transistor further comprises a
sacrificial post situated on the top surface of the base. The bipolar
transistor also comprises a conformal layer situated on a first and a
second side of the sacrificial post, where the conformal layer is not
separated from the first and second sides of the sacrificial post by
spacers. According to this exemplary embodiment, the bipolar transistor
further comprises a sacrificial planarizing layer situated over the
conformal layer, the sacrificial post, and the base. The sacrificial
planarizing layer has a first thickness in a first region between the
first and second sides of the sacrificial post and a second thickness in a
second region outside of the first and second sides of the sacrificial
post, where the second thickness is greater than the first thickness.
Согласно одному примерному воплощению, двухполярный транзистор состоит из основания имея верхнюю поверхность. Двухполярный транзистор более дальнейший состоит из жертвенного столба расположенного на верхнюю поверхность основания. Двухполярный транзистор также состоит из конформного слоя расположенного на первую и вторую сторону жертвенного столба, где конформный слой не отделен от первых и вторых сторон жертвенного столба прокладками. Согласно этому примерному воплощению, двухполярный транзистор более дальнейший состоит из жертвенного planarizing слоя расположенного над конформным слоем, жертвенным столбом, и основанием. Жертвенный planarizing слой имеет первую толщину в первой зоне между первыми и вторыми сторонами жертвенного столба и второй толщиной в второй зоне снаружи первых и вторых сторон жертвенного столба, где вторая толщина greater than первая толщина.
