A method of forming a photoresist includes forming a photoresist and
patterning/developing it according to conventional methods. The
photoresist is then subjected to ion implantation. The ions may be
selected from the group consisting of argon, boron, boron fluoride,
arsenic, phosphorous and nitrogen. The ion implantation during processing
of the photoresist provides a stabilized photoresist and helps reduce CD
loss, loss of the photoresist and formation of pin holes and striations.
Метод формировать фоторезист вклюает формировать фоторезист и patterning/developing оно согласно обычным методам. Фоторезист после этого подвергается к вживлению иона. Ионы могут быть выбраны от аргона группы consist of, бора, фторида бора, мышьяка, фосфористого и азот. Вживление иона во время обрабатывать фоторезиста обеспечивает стабилизированный фоторезист и помощь уменьшает CD потерю, потерю фоторезиста и образование отверстий и striations штыря.