Semiconductor device

   
   

A flip-chip BGA is disclosed which exhibits an excellent high-speed electric transmission characteristic while minimizing the formation of voids in sealing resin filled between a semiconductor chip and a wiring substrate. A silicon chip is flip-chip-mounted on a package substrate, and in a central area of a main surface of the silicon chip are arranged a power supply circuit, an input/output circuit, and plural bonding pads, while in the other area than the central area are arranged solder bumps in a matrix form, the solder bumps being electrically connected to the bonding pads through Cu wiring. Of the solder bumps, solder bumps for input/output power supply and solder bumps for the input and output of a data signal are arranged in a first area adjacent to the central area, and solder bumps for address signal input are arranged in a second area located outside the first area.

Un lanci-circuito integrato BGA è rilevato che esibisce una caratteristica elettrica ad alta velocità eccellente della trasmissione mentre minimizza la formazione dei vuoti in resina di sealing riempita fra un circuito integrato a semiconduttore e un substrato dei collegamenti. Una placchetta di silicio lanci-circuito-è montata su un substrato del pacchetto ed in una zona centrale di una superficie principale della placchetta di silicio sono organizzati un circuito del gruppo di alimentazione, un circuito dell'ingreso/uscita e rilievi di bonding plurali, mentre nell'altra zona che la zona centrale sono gli urti organizzati della saldatura in una forma della tabella, gli urti della saldatura che sono collegati elettricamente ai rilievi di bonding tramite i collegamenti del Cu. Degli urti della saldatura, gli urti della saldatura per gli urti del gruppo di alimentazione e della saldatura dell'ingreso/uscita per l'input e l'uscita di un segnale di dati sono organizzati in una prima zona adiacente alla zona centrale e gli urti della saldatura per l'input di segnale di indirizzo sono organizzati in una parte esterna individuata seconda zona la prima zona.

 
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< Integrated circuit having a device wafer with a diffused doped backside layer

< Semiconductor packaging

> Controlling interdiffusion rates in metal interconnection structures

> Semiconductor device, a method for making the same, and an LCD monitor comprising the same

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