A semiconductor device is provided with an SRAM memory cell. The
semiconductor device includes a first gate-gate electrode layer, a second
gate-gate electrode layer, a first drain-drain wiring layer, a second
drain-drain wiring layer, a first drain-gate wiring layer and second
drain-gate wiring layers. The first drain-gate wiring layer and an upper
layer and a lower layer of the second drain-gate wiring layer are located
in different layers, respectively. A first protruded active region is
provided in a manner to protrude from an end portion of the first active
region.
Um dispositivo de semicondutor é fornecido com uma pilha de memória de SRAM. O dispositivo de semicondutor inclui uma primeira camada do elétrodo da porta-porta, uma segunda camada do elétrodo da porta-porta, uma primeira dren-drena a camada da fiação, uma segunda dren-drena a camada da fiação, uma primeira camada da fiação da dren-porta e segundas camadas da fiação da dren-porta. A primeira camada da fiação da dren-porta e uma camada superior e uma camada mais baixa da segunda camada da fiação da dren-porta são ficadas situada em camadas diferentes, respectivamente. Uma região ativa primeiramente projetada é fornecida em uma maneira para projetar-se de uma parcela de extremidade da primeira região ativa.
