The invention concerns a tunable edge-emitting semiconductor laser (10)
including a resonant cavity delimited by two reflectors (15, 20), one of
which is a fixed reflector (15) and the other of which is a mobile
reflector (20), and including an active section (1) with gain of length
L.sub.1 and a tunable section (2) of length L.sub.2, characterized in that
the total length of the cavity L=L.sub.1 +L.sub.2 is less than or equal to
20 .mu.m.
L'invenzione interessa un laser d'emissione sintonizzabile a semiconduttore (10) compreso una cavità sonora delimitata due riflettori (15, 20), uno di cui è un riflettore fisso (15) e l'altro di cui sia un riflettore mobile (20) ed includendo una parte attiva (1) di guadagno della lunghezza L.sub.1 e una parte sintonizzabile (2) della lunghezza L.sub.2, caratterizzata dal fatto che la lunghezza totale della cavità L=L.sub.1 +L.sub.2 è inferiore o uguale a mu.m 20.
