Plasma etching is performed using a mixed gas of at least one or more
fluorine-containing gases selected from the group consisting of a nitrogen
trifluoride gas, a hydrogen fluoride gas, a dicarbon hexafluoride gas, a
carbon tetrafluoride gas and a sulfur hexafluoride gas, and an argon gas
to remove a native oxide film 5 being on a silicon substrate 1 and a gate
electrode 3, followed by forming a metal silicide film on the silicon
substrate 1 and the gate electrode 3.
Gravure à l'eau-forte de plasma est exécutée en utilisant un gaz mélangé au moins d'un ou plusieurs gaz fluorés choisis dans le groupe d'un gaz de trifluorure d'azote, d'un gaz de fluorure d'hydrogène, d'un gaz d'hexafluorure de dicarbon, d'un gaz de tetrafluoride de carbone et d'un gaz d'hexafluorure de soufre, et d'un gaz d'argon pour enlever un film indigène 5 d'oxyde étant sur un substrat 1 de silicium et une électrode de porte 3, suivie de former un film de siliciure en métal sur le substrat 1 de silicium et l'électrode de porte 3.
