Method for reducing critical dimension attainable via the use of an organic conforming layer

   
   

In one embodiment, a semiconductor device processing method, comprising the steps of: (a) using a patterned photoresist to form a structure having at least one edge; (b) prior to removal of the photoresist, forming a conforming layer from an organic compound and patterning the conforming layer to form at least one sidewall spacer which are self-aligned to the at least one edge; (c) performing a processing operation which is at least partially localized by the at least one sidewall spacer; and (d) removing the at least one sidewall spacer and the photoresist, wherein the conforming layer is formed via deposition of at least one organic compound selected from C.sub.1 to C.sub.8 alkanes C.sub.2 to C.sub.8 alkenes, C.sub.3 to C.sub.8 cyclo-alkenes, C.sub.4 to C.sub.8 cyclo-alkenes, C.sub.1 to C.sub.8 fluoro-alkanes, C.sub.2 to C.sub.8 fluoro-alkenes, C.sub.3 to C.sub.8 cyclofluoro-alkanes, C.sub.4 to C.sub.8 cyclofluoro-alkenes, or mixtures thereof.

In un incorporamento, un metodo di lavorazione del dispositivo a semiconduttore, contenente i punti: (a) usando un photoresist modellato per formare una struttura che ha almeno un bordo; (b) prima di rimozione del photoresist, formante uno strato stante conforme da un compound organico e modellante lo strato stante conforme alla forma almeno un distanziatore del muro laterale che auto-sono allineati al almeno un bordo; (c) realizzando un funzionamento di elaborazione che parzialmente è localizzato almeno dal almeno un distanziatore del muro laterale; e (d) rimuovendo il almeno un distanziatore del muro laterale ed il photoresist, in cui lo strato stante conforme è formato via il deposito almeno di un residuo organico scelto da C.sub.1 C.sub.8 agli alcani C.sub.2 agli alchenici C.sub.8, C.sub.3 agli cyclo-alchenici C.sub.8, C.sub.4 agli cyclo-alchenici C.sub.8, C.sub.1 agli fluoro-alcani C.sub.8, C.sub.2 agli fluoro-alchenici C.sub.8, C.sub.3 agli cyclofluoro-alcani C.sub.8, C.sub.4 agli cyclofluoro-alchenici C.sub.8, o mescolanze.

 
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