Electrophoretic processes for the selective deposition of materials on a semiconducting device

   
   

The present invention provides a process and apparatus for selectively depositing materials on a semiconductor device, such as depositing phosphors or other optical materials on a light emitting diode (LED), using an electrophoretic deposition process. The semiconductor device comprises a p-side and an n-side. A first biasing voltage is applied between an anode and the p-side of the semiconductor device. A second biasing voltage is applied between the p-side and the n-side of the semiconductor device. The relative biasing of the p-side and the n-side determines where coating is deposited on the semiconductor device. An optional pre-coating process is used to deposit a high resistivity dielectric material, such as silica, on the semiconductor device. The pre-coating can even the electric field on the surface of the semiconductor device, where local features such as metal connections or passivation layers disturb the electric field during phosphor deposition without pre-coating.

Die anwesende Erfindung stellt einen Prozeß und einen Apparat für selektiv niederlegende Materialien auf einem Halbleiterelement, wie niederlegendem Phosphor oder anderen optischen Materialien auf einer lichtemittierenden Diode (LED) mit einem elektrophoretischen Absetzungprozeß zur Verfügung. Das Halbleiterelement enthält eine Pseite und eine Nseite. Eine erste Vorspannung wird zwischen einer Anode und der Pseite des Halbleiterelements angewendet. Eine zweite Vorspannung wird zwischen der Pseite und der Nseite des Halbleiterelements angewendet. Das relative Beeinflussen der Pseite und der Nseite stellt fest, wo Schicht auf dem Halbleiterelement niedergelegt wird. Ein wahlweise freigestellter vorgalvanisierender Prozeß wird verwendet, um ein dielektrisches Material der hohen Widerstandskraft, wie Silikon, auf dem Halbleiterelement niederzulegen. Das Vorgalvanisieren kann das elektrische glätten auffangen auf der Oberfläche des Halbleiterelements, in dem lokale Eigenschaften wie Metallanschlüsse oder Passivierungschichten das elektrische auffangen während der Phosphorabsetzung stören, ohne vorzugalvanisieren.

 
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