The object of the present invention is to provide, in the production of
semiconductor circuit elements, a photoresist residue removing liquid
composition which is excellent for removing photoresist residues after dry
etching without attacking the wiring material or the interlayer insulating
film etc.
This is made possible by a photoresist residue removing liquid composition
containing one or more members selected from the group consisting of
reducing compounds and their salts and one or more members selected from
the group consisting of aliphatic polycarboxylic acids and their salts.
El objeto de la actual invención es proporcionar, en la producción de los elementos de circuito de semiconductor, un residuo del photoresist que quita la composición líquida que es excelente para quitar residuos del photoresist después de la aguafuerte seca sin atacar el material o la película aislador etc del cableado de la capa intermediaria. Esto es hecha posible por un residuo del photoresist que quita la composición líquida que contiene a unos o más miembros seleccionados de los compuestos de reducción del grupo que consisten en y sus sales y unos o más miembros seleccionados del grupo que consiste en los ácidos polycarboxylic alifáticos y sus sales.