MISFET

   
   

P-type active region 12; n-type source/drain regions 13a and 13b; gate insulating film 14 made of a thermal oxide film; gate electrode 15; source/drain electrodes 16a and 16b, are provided over a p-type SiC substrate 11. In the active region 12, p-type heavily doped layers 12a, which are thin enough to create a quantum effect, and thick undoped layers 12b are alternately stacked. When carriers flow, scattering of impurity ions in the active region is reduced, and the channel mobility increases. In the OFF state, a depletion layer expands throughout the active region, and the breakdown voltage increases. As a result of reduction in charges trapped in the gate insulating film or near the interface between the gate insulating film and the active region, the channel mobility further increases.

P-type région active 12 ; n-type régions 13a et 13b de source/drain ; déclenchez le film isolant 14 a fait d'un film thermique d'oxyde ; électrode de porte 15 ; les électrodes 16a et 16b de source/drain, sont fournies au-dessus d'un p-type le substrat 11 de SiC. Dans la région active 12, le p-type a fortement enduit les couches 12a, qui doivent assez légèrement créer un effet de quantum, et les couches non dopées épaisses 12b sont alternativement empilées. Quand les porteurs coulent, la dispersion des ions d'impureté dans la région active est réduite, et la mobilité de canal augmente. Dans AU LOIN l'état, une couche d'arrêt augmente dans toute la région active, et la tension claque augmente. En raison de la réduction des frais emprisonnés dans le film isolant de porte ou approchez-vous de l'interface entre le film isolant de porte et la région active, les accroissements plus ultérieurs de mobilité de canal.

 
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