Nitride semiconductor field effect transistor (FET) and method of fabricating the same

   
   

Provided are a nitride semiconductor field effect transistor (FET) and a method of fabricating the nitride semiconductor FET. The nitride semiconductor FET includes a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, a two-dimensional electron gas layer, a T-shaped gate, and a source/drain ohmic electrode. The first semiconductor layer is formed on a substrate. The second semiconductor layer is formed on the first semiconductor layer and has a bandgap energy that is different from the bandgap energy of the first semiconductor layer. The two-dimensional electron gas layer is formed of a hetero-junction of the first semiconductor layer and the second semiconductor layer in an interfacial area between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer. The T-shaped gate is formed on the second semiconductor layer and is connected to the second semiconductor layer. The source/drain ohmic electrode is formed by sequentially forming an Ni (or Cr) layer, an In layer, an Mo (or W) layer, and an Au layer at both sides of the second semiconductor layer and on the first semiconductor layer.

Con tal que sean un transistor de efecto de campo del semiconductor del nitruro (FET) y un método de fabricar el FET del semiconductor del nitruro. El FET del semiconductor del nitruro incluye una primera capa del semiconductor, una segunda capa del semiconductor, una capa de dos dimensiones del gas del electrón, una puerta T-formada, y un electrodo óhmico de source/drain. La primera capa del semiconductor se forma en un substrato. La segunda capa del semiconductor se forma en la primera capa del semiconductor y tiene una energía del bandgap que sea diferente de la energía del bandgap de la primera capa del semiconductor. La capa de dos dimensiones del gas del electrón se forma de un hetero-junction de la primera capa del semiconductor y de la segunda capa del semiconductor en un área diedra entre la primera capa del semiconductor y la segunda capa del semiconductor. La puerta T-formada se forma en la segunda capa del semiconductor y está conectada con la segunda capa del semiconductor. El electrodo óhmico de source/drain es formado secuencialmente formando una capa del Ni (o cr), en la capa, un MES (o W) capa, y una capa del au en ambos lados de la segunda capa del semiconductor y en la primera capa del semiconductor.

 
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