Provided are a nitride semiconductor field effect transistor (FET) and a
method of fabricating the nitride semiconductor FET. The nitride
semiconductor FET includes a first semiconductor layer, a second
semiconductor layer, a two-dimensional electron gas layer, a T-shaped
gate, and a source/drain ohmic electrode. The first semiconductor layer is
formed on a substrate. The second semiconductor layer is formed on the
first semiconductor layer and has a bandgap energy that is different from
the bandgap energy of the first semiconductor layer. The two-dimensional
electron gas layer is formed of a hetero-junction of the first
semiconductor layer and the second semiconductor layer in an interfacial
area between the first semiconductor layer and the second semiconductor
layer. The T-shaped gate is formed on the second semiconductor layer and
is connected to the second semiconductor layer. The source/drain ohmic
electrode is formed by sequentially forming an Ni (or Cr) layer, an In
layer, an Mo (or W) layer, and an Au layer at both sides of the second
semiconductor layer and on the first semiconductor layer.
Con tal que sean un transistor de efecto de campo del semiconductor del nitruro (FET) y un método de fabricar el FET del semiconductor del nitruro. El FET del semiconductor del nitruro incluye una primera capa del semiconductor, una segunda capa del semiconductor, una capa de dos dimensiones del gas del electrón, una puerta T-formada, y un electrodo óhmico de source/drain. La primera capa del semiconductor se forma en un substrato. La segunda capa del semiconductor se forma en la primera capa del semiconductor y tiene una energía del bandgap que sea diferente de la energía del bandgap de la primera capa del semiconductor. La capa de dos dimensiones del gas del electrón se forma de un hetero-junction de la primera capa del semiconductor y de la segunda capa del semiconductor en un área diedra entre la primera capa del semiconductor y la segunda capa del semiconductor. La puerta T-formada se forma en la segunda capa del semiconductor y está conectada con la segunda capa del semiconductor. El electrodo óhmico de source/drain es formado secuencialmente formando una capa del Ni (o cr), en la capa, un MES (o W) capa, y una capa del au en ambos lados de la segunda capa del semiconductor y en la primera capa del semiconductor.