Bipolar structure with two base-emitter junctions in the same circuit

   
   

Bipolar integrated circuits employing SiGe technology incorporate the provision of mask-selectable types of bipolar transistors. A high-performance/high variability type has a thin base in which the diffusion from the emitter intersects the base dopant diffusion within the "ramp" of Ge concentration near the base-collector junction and a lower performance/lower variability type has an additional epi layer in the base so that the emitter diffusion intersects the Ge ramp where the ramp has a lower ramp rate.

Os circuitos integrados bipolares que empregam a tecnologia de SiGe incorporam a provisão de tipos máscara-selecionáveis de transistor bipolares. Um tipo do variability de high-performance/high tem uma base fina em que a difusão do emissor cruza a difusão baixa do dopant dentro da "rampa" da concentração do Ge perto da junção do base-coletor e um tipo mais baixo do variability de performance/lower tem uma camada adicional do epi na base de modo que a difusão do emissor cruze a rampa do Ge onde a rampa tem uma taxa de rampa mais baixa.

 
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