Laser chemical fabrication of nanostructures

   
   

Disclosed is a process for fabricating luminescent porous material, the process comprising pre-treating a substrate (e.g. crystalline silicon) with laser radiation (e.g from a Nd:YAG laser) in a predetermined pattern followed by exposing the irradiated substrate to a chemical stain etchant (e.g. HF:HNO.sub.3 :H.sub.2 O) to produce a luminescent nanoporous material. Luminescent porous material having a luminescence maximum greater than about 2100 meV may be produced by this method. Such nanoporous materials are useful in optoelectronic and other semiconductor devices.

Αποκαλύπτονται μια διαδικασία για το luminescent πορώδες υλικό, η διαδικασία περιλαμβάνοντας επεξεργαμένος εκ των προτέρων ένα υπόστρωμα (π.χ. κρυστάλλινο πυρίτιο) με την ακτινοβολία λέιζερ (π.χ. από ένα λέιζερ Nd:YAG) σε ένα προκαθορισμένο σχέδιο που ακολουθείται με την έκθεση του ακτινοβολημένου υποστρώματος σε έναν χημικό λεκέ etchant (π.χ. HF:HNO.sub.3 :H.sub.2 Ο) για να παραγάγει ένα luminescent nanoporous υλικό. Το luminescent πορώδες υλικό που έχει luminescence μέγιστο έναν μεγαλύτερο από περίπου 2100 meV μπορεί να παραχθεί μ' αυτό τον τρόπο. Τέτοια nanoporous υλικά είναι χρήσιμα στις οπτικοηλεκτρονικές και άλλες συσκευές ημιαγωγών.

 
Web www.patentalert.com

< Electro-optical device and electronic apparatus

< Method for test conditions

> Batch/lot organization based on quality characteristics

> Semiconductor wafer

~ 00166