Semiconductor wafer

   
   

To provide a semiconductor wafer having crystal orientations of a wafer for the support substrate and a wafer for the device formation shifted from each other, wherein two kinds of wafers having different crystal orientations in which a notch or an orientation flat is to be provided do not need to be prepared. One of two semiconductor wafers having a notch or an orientation flat provided in the same crystal orientation <110> is set to be a wafer (1) for the support substrate and the other is set to be a wafer for the device formation. Both wafers are bonded with the notches or orientation flats shifted from each other (for example, a crystal orientation <100> of the wafer for the device formation and the crystal orientation <110> of the wafer (1) for the support substrate are set to the same direction). The wafer for the device formation is divided to obtain an SOI layer (3). A MOS transistor (TR1) or the like is formed on the SOI layer (3).

Για να παρέχει μια γκοφρέτα ημιαγωγών που έχει τους προσανατολισμούς κρυστάλλου μιας γκοφρέτας για το υπόστρωμα υποστήριξης και μιας γκοφρέτας για τη συσκευή ο σχηματισμός μετατοπίστηκε ο ένας από τον άλλον, όπου δύο είδη γκοφρετών που έχουν τους διαφορετικούς προσανατολισμούς κρυστάλλου στους οποίους μια εγκοπή ή ένα επίπεδο προσανατολισμού πρόκειται να παρασχεθεί δεν πρέπει να προετοιμαστούν. Η μια από δύο γκοφρέτες ημιαγωγών που έχουν μια εγκοπή ή ένα επίπεδο προσανατολισμού παρασημένο στον ίδιο προσανατολισμό κρυστάλλου τίθεται ως στόχος να είναι μια γκοφρέτα (1) για το υπόστρωμα υποστήριξης και άλλη τίθεται ως στόχος να είναι μια γκοφρέτα για το σχηματισμό συσκευών. Και οι δύο γκοφρέτες συνδέονται με τις εγκοπές ή τα επίπεδα προσανατολισμού που μετατοπίζονται η μια από την άλλη (παραδείγματος χάριν, ένας προσανατολισμός κρυστάλλου της γκοφρέτας για το σχηματισμό συσκευών και ο προσανατολισμός κρυστάλλου της γκοφρέτας (1) για το υπόστρωμα υποστήριξης τίθενται την ίδια κατεύθυνση). Η γκοφρέτα για το σχηματισμό συσκευών διαιρείται για να λάβει ένα SOI στρώμα (3). Μια κρυσταλλολυχνία MOS (TR1) ή οι όμοιοι διαμορφώνεται στο SOI στρώμα (3).

 
Web www.patentalert.com

< Method and apparatus for aligning semiconductor chips using an actively driven vernier

< Method to test power distribution system

> High performance FET with elevated source/drain region

> Photo detector methods to reduce the disabling effects of displacement current in opto-couplers

~ 00166