Photo detector methods to reduce the disabling effects of displacement current in opto-couplers

   
   

This invention discloses the several means by which transient noise due to capacitance related displacement current can be excluded from the optical signal coming from a silicon detector used in opto-couplers. The exclusion of such noise permits a high degree of detector sensitivity which permits the use of low efficiency silicon based LEDs for opto-coupler applications.

Cette invention révèle les multiples moyens par lesquels le bruit passager dû à la capacité a relié le courant de déplacement peut être exclu du signal optique venant d'un détecteur de silicium utilisé dans opto-couplers. L'exclusion d'un tel bruit laisse un degré élevé de sensibilité de détecteur qui permet l'utilisation de la basse efficacité LED basées par silicium pour des applications de opto-coupler.

 
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< Semiconductor wafer

< High performance FET with elevated source/drain region

> CVD organic polymer film for advanced gate patterning

> Semiconductor memory device

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