Method and apparatus for reducing fixed charge in semiconductor device layers

   
   

The fixed charge in a borophosphosilicate glass insulating film deposited on a semiconductor device is reduced by reacting an organic precursor such as TEOS with O.sub.3. When done at temperatures higher than approximately 480 degrees C., the carbon level in the resulting film appears to be reduced, resulting in a higher threshold voltage for field transistor devices.

Постоянная затрата в пленке borophosphosilicate стеклянной изолируя депозированной на прибора на полупроводниках уменьшена путем реагировать органический прекурсор such as TEOS с O.sub.3. После того как я делан на температурах более высоко чем приблизительно 480 градусов C, кажется, что уменьшен уровень углерода в приводя к пленке, resulting in напряжение тока высокийа порог для приспособлений транзистора поля.

 
Web www.patentalert.com

< CVD organic polymer film for advanced gate patterning

< Semiconductor memory device

> Grounding mechanism for semiconductor devices

> Semiconductor device and method of manufacturing the same

~ 00166