MRAM data line configuration and method of operation

   
   

A memory array including a conductive line adapted to simultaneously conduct current in at least two distinct directions relative and adjacent to a magnetic junction is provided. In some embodiments, one of the distinct directions may be substantially aligned with an elongated dimension of the magnetic junction, while another of the distinct directions may be substantially aligned with a shortened dimension of the magnetic junction. In yet other embodiments, at least one of the distinct directions may be aligned at an angle between approximately 0 degrees and approximately 90 degrees relative to an elongated dimension of the magnetic junction. In either case, a memory array is provided which includes a contiguous conductive line having a first portion arranged above a magnetic junction of the memory array and a second portion arranged below the magnetic junction. In addition, a method for operating such a magnetic memory array is provided.

Μια σειρά μνήμης συμπεριλαμβανομένης μιας αγώγιμης γραμμής που προσαρμόζεται για να διευθύνει ταυτόχρονα το ρεύμα τουλάχιστον συγγενή δύο στον ευδιάκριτο κατευθύνσεων και δίπλα σε μια μαγνητική σύνδεση παρέχεται. Σε μερικές ενσωματώσεις, μια από τις ευδιάκριτες κατευθύνσεις μπορεί να ευθυγραμμιστεί ουσιαστικά με μια επιμηκυμένη διάσταση της μαγνητικής σύνδεσης, ενώ άλλη των ευδιάκριτων κατευθύνσεων μπορεί να ευθυγραμμιστεί ουσιαστικά με μια μικρότερη διάσταση της μαγνητικής σύνδεσης. Ακόμα σε άλλες ενσωματώσεις, τουλάχιστον μια από τις ευδιάκριτες κατευθύνσεις μπορεί να ευθυγραμμιστεί διαγωνίως μεταξύ περίπου 0 βαθμών και περίπου 90 βαθμών σχετικά με μια επιμηκυμένη διάσταση της μαγνητικής σύνδεσης. Σε καθεμία περίπτωση, μια σειρά μνήμης παρέχεται που περιλαμβάνει μια παρακείμενη αγώγιμη γραμμή που έχει μια πρώτη μερίδα τακτοποιημένων επάνω από μια μαγνητική σύνδεση της σειράς μνήμης και μια δεύτερη μερίδα τακτοποιημένη κάτω από τη μαγνητική σύνδεση. Επιπλέον, μια μέθοδος για μια τέτοια μαγνητική σειρά μνήμης παρέχεται.

 
Web www.patentalert.com

< Magnetic tunneling junction antifuse device

< Semiconductor device power bus system and method

> Non-volatile semiconductor memory device conducting read operation using a reference cell

> Magnetic memory

~ 00165