An underlayer made of a III-V semiconductor compound is formed on a given
substrate, and a CrSb compound is epitaxially grown on the underlayer by
means of MBE method to fabricate a zinc blend type CrSb compound.
Un underlayer fatto di un residuo a semiconduttore di III-V รจ formato su un dato substrato e un residuo di CrSb epitassiale si sviluppa sul underlayer il per mezzo del metodo di MBE fabbricare un tipo residuo di miscela dello zinco di CrSb.
