A base polymer having incorporated an ester group having a fluorinated
alicyclic unit is provided. A resist composition comprising the polymer is
sensitive to high-energy radiation, and has excellent sensitivity at a
wavelength of less than 200 nm, significantly improved transparency by
virtue of the fluorinated alicyclic units incorporated as well as
satisfactory plasma etching resistance. The resist composition has a low
absorption at the exposure wavelength of a F.sub.2 laser and is ideal as a
micropatterning material in VLSI fabrication.
Un polímero bajo que incorpora un grupo del éster que tiene una unidad alicyclic fluorada se proporciona. Una composición del resistir que abarca el polímero es sensible a la radiación de gran energía, y tiene sensibilidad excelente en una longitud de onda de menos de 200 nm, transparencia perceptiblemente mejorada en virtud de las unidades alicyclic fluoradas incorporadas tan bien como resistencia satisfactoria de la aguafuerte del plasma. La composición del resistir tiene una absorción baja en la longitud de onda de la exposición de un laser F.sub.2 y es ideal como material micropatterning en la fabricación del VLSI.
