A method and apparatus for thermally conducting heat from a semiconductor
device, namely, a flip-chip assembly. In one embodiment, a heat sink, such
as a diamond layer having openings therein, is provided over a surface of
a semiconductor device. Conductive pads are formed in the openings to be
partially contacting the diamond layer and to electrically communicate
with the semiconductor device. The heat produced from the semiconductor
device and thermally conducting through the conductive pads is thermally
conducted to the heat sink or diamond layer and away from the
interconnections, i.e., solder bump connections, between a semiconductor
device and a carrier substrate in a flip-chip assembly. As a result,
thermal fatigue is substantially prevented in a flip-chip assembly.
Eine Methode und ein Apparat für thermisch Leithitze von einem Halbleiterelement nämlich ein Leicht schlagen span. In einer Verkörperung wird ein Kühlblech, wie eine Diamantschicht, die Öffnungen darin hat, über einer Oberfläche eines Halbleiterelements zur Verfügung gestellt. Leitende Auflagen werden in den Öffnungen, mit der Diamantschicht teilweise in Verbindung zu treten gebildet und das Halbleiterelement elektrisch verbunden zuSEIN. Die Hitze, die aus dem Halbleiterelement und durch die leitenden Auflagen thermisch leiten produziert wird, wird thermisch zur Kühlblech- oder Diamantschicht und weg von den Verbindungen d.h. Lötmittelstoßanschlüsse, zwischen ein Halbleiterelement und ein Fördermaschinesubstrat in einem Leicht schlagen span geleitet. Infolgedessen wird thermische Ermüdung im wesentlichen in einem Leicht schlagen span verhindert.