The invention provides a semiconductor element having a semiconductor
junction composed of silicon-based films, at least one of the
silicon-based films containing a microcrystal. The microcrystal is located
in at least one interface region of the silicon-based film containing the
microcrystal and has no orientation property. Further, the invention
provides a semiconductor element having a semiconductor junction composed
of silicon-based films, at least one of the silicon-based films containing
a microcrystal, and the orientation property of the microcrystal changing
in a film thickness direction of the silicon-based film containing the
microcrystal. Thereby, a silicon-based film having a shortened tact time,
an increased film forming rate, and excellent characteristics, and a
semiconductor element including this silicon-based film having excellent
adhesion and environmental resistance can be obtained.
La invención proporciona un elemento del semiconductor que tiene una ensambladura de semiconductor integrada por películas silicio-basadas, por lo menos una de las películas silicio-basadas que contienen un microcrystal. El microcrystal está situada en por lo menos una región del interfaz de la película silicio-basada que contiene el microcrystal y no tiene ninguna característica de la orientación. Además, la invención proporciona un elemento del semiconductor que tiene una ensambladura de semiconductor integrada por películas silicio-basadas, por lo menos una de las películas silicio-basadas que contienen de la orientación la característica microcrystal, y de cambiar microcrystal en una dirección del espesor del film de la película silicio-basada que contiene el microcrystal. De tal modo, una película silicio-basada que tiene un rato acortado del tacto, una película creciente que forma tarifa, y las características excelentes, y un elemento del semiconductor incluyendo esto película silicio-basada que tiene la adherencia excelente y resistencia ambiental pueden ser obtenidos.
