Method of forming a ferroelectric film and fabrication process of a semiconductor device having a ferroelectric film

   
   

A method of forming a ferroelectric film includes the steps of forming a layer by a material that takes a metal state in a reducing ambient and an oxide state in an oxidizing ambient, and depositing a ferroelectric film on a surface of the layer by supplying gaseous sources of the ferroelectric film and an oxidizing gas and causing a decomposition of the gaseous sources at the surface of said layer, wherein the step of depositing the ferroelectric film is started with a preparation step in which the state of the surface of said layer is controlled substantially to a critical point in which the layer changes from the metal state to the oxide state and from the oxide state to the metal state.

Een methode om een ferroelectric film te vormen omvat de stappen van het vormen van een laag door een materiaal dat een metaalstaat in omringend verminderen en een oxydestaat in omringend oxyderen neemt, en het deponeren van een ferroelectric film op een oppervlakte van de laag door gasachtige bronnen van de ferroelectric film en een oxyderend gas te leveren en een decompositie van de gasachtige bronnen te veroorzaken aan de oppervlakte van bovengenoemde laag, waarin de stap van het deponeren van de ferroelectric film met een voorbereidingsstap is begonnen waarin de staat van de oppervlakte van bovengenoemde laag wezenlijk aan een kritiek punt wordt gecontroleerd waarin de laagveranderingen van de metaalstaat in het oxyde en van het oxyde verklaren at takes a metal state in a reducing ambient and an oxide state in an oxidizing ambient, and depositing a ferroelectric film on a surface of the layer by supplying gaseous sources of the ferroelectric film and an oxidizing gas and causing a decomposition of the gaseous sources at the surface of said layer, wherein the step of depositing the ferroelectric film is started with a preparation step in which the state of the surface of said layer is controlled substantially to a critical point in which the layer changes from the metal state to the oxide state and from the oxide state aan de metaalstaat.

 
Web www.patentalert.com

< Ferroelectric memory devices

< Hybrid mass storage system and method with two different types of storage medium

> Thin film capacitor and method of manufacturing the same

> Ferroelectric memory device

~ 00165