Adjacent metal lines of an interconnect metallization layer exhibit reduced
variation in parasitic capacitance due to the presence of an intervening
third metal line. The third metal line is electrically linked to one of
the adjacent metal lines and is designed to project into the space between
the adjacent metal lines, thereby elevating parasitic capacitance while
reducing the range of variation of parasitic capacitance over a known
range of critical dimensions. Thickness of the interlayer dielectric
formed over the adjacent metal lines can be tailored to trigger
penetration of the third metal line within a known range of critical
dimensions.
Les lignes adjacentes en métal d'un objet exposé de couche de métallisation d'interconnexion ont réduit la variation de la capacité parasite due à la présence d'une troisième ligne intervenante en métal. La troisième ligne en métal est électriquement liée à une des lignes adjacentes en métal et est conçue pour projeter dans l'espace entre les lignes adjacentes en métal, élevant de ce fait la capacité parasite tout en réduisant la gamme de la variation de l'excédent parasite de capacité une gamme connue des dimensions critiques. L'épaisseur du diélectrique de couche intercalaire formé au-dessus des lignes adjacentes en métal peut être conçue en fonction la pénétration de déclenchement de la troisième ligne en métal dans une marge connue des dimensions critiques.
