Resistive cross point memory devices are provided, along with methods of
manufacture and use. The memory device comprises an active layer of
perovskite material interposed between upper electrodes and lower
electrodes. A bit region located within the active layer at the cross
point of an upper electrode and a lower electrode has a resistivity that
can change through a range of values in response to application of one, or
more, voltage pulses. Voltage pulses may be used to increase the
resistivity of the bit region, decrease the resistivity of the bit region,
or determine the resistivity of the bit region. Memory circuits are
provided to aid in the programming and read out of the bit region.
Οι ανθεκτικές διαγώνιες συσκευές μνήμης σημείου παρέχονται, μαζί με τις μεθόδους κατασκευής και χρήσης. Η συσκευή μνήμης περιλαμβάνει ένα ενεργό στρώμα perovskite του υλικού που παρεμβάλλεται μεταξύ των ανώτερων ηλεκτροδίων και των χαμηλότερων ηλεκτροδίων. Μια περιοχή κομματιών που βρίσκεται μέσα στο ενεργό στρώμα στο διαγώνιο σημείο ενός ανώτερου ηλεκτροδίου και ενός χαμηλότερου ηλεκτροδίου έχει μια ειδική αντίσταση που μπορεί να αλλάξει μέσω μιας σειράς των τιμών σε απάντηση στην εφαρμογή του ενός, ή περισσότερο, σφυγμοί τάσης. Οι σφυγμοί τάσης μπορούν να χρησιμοποιηθούν για να αυξήσουν την ειδική αντίσταση της περιοχής κομματιών, να μειώσουν την ειδική αντίσταση της περιοχής κομματιών, ή να καθορίσουν την ειδική αντίσταση της περιοχής κομματιών. Τα κυκλώματα μνήμης παρέχονται στην ενίσχυση στον προγραμματισμό και διαβάζονται από την περιοχή κομματιών.
