Semiconductor laser diodes, particularly high power ridge waveguide laser
diodes, are often used in opto-electronics as so-called pump laser diodes
for fiber amplifiers in optical communication lines. To provide the
desired high power output and stability of such a laser diode and avoid
degradation during use, the present invention concerns an improved design
of such a device, the improvement in particular consisting in a way of
suppressing the undesired first and higher order modes of the laser which
consume energy and do not contribute to the optical output of the laser,
thus reducing it's efficiency. Essentially, the novel effect is provided
by a structure comprising CIG--for Complex Index Guiding--elements on top
of the laser diode. These CIG elements consist of one or a plurality of
layers and must contain at least one layer which provides the optical
absorption of undesired modes of the lasing wavelength and preferably
contains an insulating layer as a first contact layer to the
semiconductor. The CIG elements may be specifically shaped, both in
thickness and coverage of the laser's semiconductor body, to provide
desired suppression characteristics. Further, the CIG elements may be
combined with the contact layer usually providing the electrical input
power to the laser diode.
Los diodos del laser del semiconductor, particularmente diodos del laser de la guía de onda del canto de la alta energía, se utilizan a menudo en optoelectrónica como diodos supuestos del laser de la bomba para los amplificadores de la fibra en líneas de comunicación óptica. Para proporcionar la salida de alta energía y la estabilidad deseadas de tal diodo del laser y para evitar la degradación durante uso, la actual invención se refiere a un diseño mejorado de tal dispositivo, la mejora en consistir particular de una manera de suprimir los modos indeseados de la primera y más alta orden del laser cuál consume energía y no contribuye a la salida óptica del laser, así la reducción de él es eficacia. Esencialmente, el efecto de la novela es proporcionado por una estructura que abarca CIG -- para el índice complejo que dirige -- los elementos encima del diodo del laser. Estos elementos del CIG consisten en una o una pluralidad de capas y deben contener por lo menos una capa que proporcione la absorción óptica de modos indeseados de la longitud de onda lasing y contienen preferiblemente una capa de aislamiento mientras que una primera capa del contacto al semiconductor. Los elementos del CIG se pueden formar específicamente, en grueso y la cobertura del cuerpo del semiconductor del laser, para proporcionar características deseadas de la supresión. Además, los elementos del CIG se pueden combinar con la capa del contacto que proporciona generalmente la energía de entrada eléctrica al diodo del laser.
