A semiconductor diode has a semiconductor die that includes a substrate, a
first semiconductor film, a second semiconductor film, a first metal
contact, and a second metal contact. The semiconductor die defines two
diagonally opposite first corners and two diagonally opposite second
corners. The first semiconductor film has an exposed area that is exposed
from the second semiconductor film and that extends between one of the
first corners and one of the second corners. The first metal contact is
formed on the exposed area and has an extension section and a wire-bonding
section that has a width greater than that of the extension section and a
length less than that of the extension section. The second metal contact
extends between the other one of the first corners and the other one of
the second corners and has an extension section and a wire-bonding section
that has a width greater than that of the extension section and a length
less than that of the extension section.
Een halfgeleiderdiode heeft een halfgeleidermatrijs die een substraat, een eerste halfgeleiderfilm, een tweede halfgeleiderfilm, een eerste metaalcontact, en een tweede metaalcontact omvat. De halfgeleidermatrijs bepaalt diagonaal twee tegenover eerste hoeken en twee diagonaal tegenover tweede hoeken. De eerste halfgeleiderfilm heeft een blootgesteld gebied dat van de tweede halfgeleiderfilm wordt blootgesteld en dat zich tussen één van de eerste hoeken en één van de tweede hoeken uitbreidt. Het eerste metaalcontact wordt gevormd op het blootgestelde gebied en heeft een uitbreidingssectie en een draad-plakkende sectie die een breedte groter dan dat van de uitbreidingssectie en een lengte minder dan dat van de uitbreidingssectie heeft. Het tweede metaalcontact breidt zich tussen andere één van de eerste hoeken en andere één van de tweede hoeken uit en heeft een uitbreidingssectie en een draad-plakkende sectie die een breedte groter dan dat van de uitbreidingssectie en een lengte minder dan dat van de uitbreidingssectie heeft.
