A method of manufacturing a resistive semiconductor memory device (100),
comprising depositing an insulating layer (132) over a workpiece (30), and
defining a pattern for a plurality of alignment marks (128) and a
plurality of conductive lines (112) within the insulating layer (132). A
conductive material is deposited over the wafer to fill the alignment mark
(128) and conductive line (112) patterns. The insulating layer (132) top
surface is chemically-mechanically polished to remove excess conductive
material from the insulating layer (132) and form conductive lines (112),
while leaving conductive material remaining within the alignment marks
(128). A masking layer (140) is formed over the conductive lines (112),
and at least a portion of the conductive material is removed from within
the alignment marks (128). The alignment marks (128) are used for
alignment of subsequently deposited layers of the resistive memory device
(100).
Un método de fabricar un dispositivo de memoria resistente de semiconductor (100), abarcando depositando una capa de aislamiento (132) sobre un objeto (30), y definir un patrón para una pluralidad de las marcas de alineación (128) y una pluralidad de las líneas conductoras (112) dentro de la capa de aislamiento (132). Un material conductor se deposita sobre la oblea para llenar la marca de alineación (128) y la línea conductora (112) patrones. Superficies superiores de la capa de aislamiento las 132) (chemically-mechanically se pulen para quitar exceso de material conductor de la capa de aislamiento (132) y para formar las líneas conductoras (112), mientras que deja restante material conductor dentro de las marcas de alineación (128). Una capa que enmascara (140) se forma sobre las líneas conductoras (112), y por lo menos una porción del material conductor se quita dentro de las marcas de alineación (128). Las marcas de alineación (128) se utilizan para la alineación de capas posteriormente depositadas del dispositivo de memoria resistente (100).
