According to the present invention, a method of manufacturing a
ferroelectric capacitor using a ferroelectric thin film, includes steps
of: forming a lower conductive layer on a semiconductor substrate; coating
solution of ferroelectric coking including organic solvent and
organometallic complex on the lower conductive layer; performing a heating
process for coated solution at temperature, to decompose said
organometallic complex in solution of ferroelectric coking, or more and
ferroelectric crystallization temperature or below to form said metal
compound thin film; forming an upper conductive layer on said metal
compound thin film; and performing a heating process for said metal
compound thin film at ferroelectric crystallization temperature or more to
form said ferroelectric thin film.
Según la actual invención, un método de fabricar un condensador ferroelectric usando una película fina ferroelectric, incluye pasos de: formación de una capa conductora más baja en un substrato del semiconductor; solución de capa de la coquefacción ferroelectric incluyendo solvente orgánico y del complejo organometallic en la capa conductora más baja; realizando un proceso de la calefacción para la solución revestida en la temperatura, para descomponer el complejo organometallic dicho en la solución de la coquefacción ferroelectric, o más y temperatura ferroelectric de la cristalización o abajo para formar la película fina del compuesto dicho del metal; formación de una capa conductora superior en la película fina del compuesto dicho del metal; y realizando un proceso de la calefacción para la película fina del compuesto dicho del metal en la temperatura ferroelectric o más de la cristalización para formar la película fina ferroelectric dicha.
