A method of forming a programmable conductor memory cell array is disclosed
wherein metal and chalcogenide glass are co-sputtered to fill an array of
cell vias in a prepared substrate. The prepared substrate is heated above
room temperature before the metal and chalcogenide glass film is
deposited, and the heating is maintained throughout the deposition. The
resulting metal/chalcogenide glass film has good homogeneity, a desired
ratio of components, and has a regular surface.
Een methode om een programmeerbare de celserie van het leidergeheugen te vormen wordt onthuld waarin metaal en chalcogenide het glas wordt mede-gesputterd om een serie van celvias in een voorbereid substraat te vullen. Het voorbereide substraat wordt verwarmd boven kamertemperatuur alvorens de metaal en chalcogenideglasfilm wordt gedeponeerd, en het verwarmen wordt gehandhaafd door het deposito. De resulterende metaal/chalcogenideglasfilm heeft goede homogeniteit, een gewenste verhouding van componenten, en heeft een regelmatige oppervlakte.
