A semiconductor device has: a semiconductor substrate having a principal
surface; a fuse circuit formed above the principal surface, the fuse
circuit having fuse elements each having a predetermined breaking point; a
first trench isolation region formed in a surface layer of the
semiconductor substrate under the fuse circuit; and a plurality of active
region dummies formed through the first trench isolation region in an area
excepting a predetermined area around the predetermined breaking point.
Although a dummy structure is formed also in a fuse circuit, a breaking
margin is prevented from being lowered and a substrate damage is avoided,
while surface flatness and line width controllability are ensured.
Um dispositivo de semicondutor tem: uma carcaça do semicondutor que tem uma superfície principal; um circuito do fusível deu forma acima da superfície principal, o circuito do fusível que tem elementos cada um do fusível ter um ponto quebrando predeterminado; uma primeira região da isolação da trincheira deu forma em uma camada de superfície da carcaça do semicondutor sob o circuito do fusível; e um plurality de manequins ativos da região deu forma com a primeira região da isolação da trincheira em uma área com exceção de uma área predeterminada em torno do ponto quebrando predeterminado. Embora uma estrutura dummy seja dada forma também em um circuito do fusível, uma margem quebrando é impedida de ser abaixado e uns danos da carcaça estão evitados, quando o nivelamento e a linha de superfície controllability da largura forem assegurados.
