A packaged semiconductor device (20) has a first integrated circuit die
(28) having a top surface with active electrical circuitry implemented
thereon. The first die (28) is mounted in a cavity (21) of a first heat
spreader (22). A second die (36) having electrical circuitry implemented
on a top surface is attached to the top surface of the first die (28).
Both of the die (28 and 36) are electrically connected to a substrate (24)
mounted on the first heat spreader (22). A second heat spreader (40) is
mounted on the top surface of the second die (36). The second heat
spreader (40) provides an additional path for thermal dissipation of heat
generated by the second die (36).
Упакованный прибора на полупроводниках (20) имеет первую плашку интегрированной цепи (28) иметь верхнюю поверхность при активно электрические сети снабженные thereon. Первая плашка (28) установлена в полости (21) первого распространителя жары (22). Вторая плашка (36) имея электрические сети снабженные на верхней поверхности прикреплена к верхней поверхности первой плашки (28). Обе из плашки (28 и 36) электрически соединены к субстрату (24) установленному на первом распространителе жары (22). Второй распространитель жары (40) установлен на верхней поверхности второй плашки (36). Второй распространитель жары (40) обеспечивает дополнительный курс для термально диссипации жары произведенной второй плашкой (36).
