A semiconductor device and a method of making it are described. During the
formation of the semiconductor device, a hard mask is formed of an
etch-resistant material. The mask prevents etchant from etching an area
within a dielectric material near a conductive plug. The mask may be
formed of a nitride. Conductive material is then deposited withinan etched
via and is contacted with the conductive plug.
Un dispositivo a semiconduttore e un metodo di fabbricazione esso sono descritti. Durante la formazione del dispositivo a semiconduttore, una mascherina dura è formata di un materiale incid-resistente. La mascherina impedisce etchant incidere una zona all'acquaforte all'interno di un vicino materiale dielettrico una spina conduttiva. La mascherina può essere formata di un nitruro. Il materiale conduttivo allora è withinan depositato inciso via e si mette in contatto con con la spina conduttiva.
