Retrograde well structure for a CMOS imager

   
   

A retrograde well structure for a CMOS imager that improves the quantum efficiency and signal-to-noise ratio of the imager. The retrograde well comprises a doped region with a vertically graded dopant concentration that is lowest at the substrate surface, and highest at the bottom of the well. A single retrograde well may have a single pixel sensor cell, multiple pixel sensor cells, or even an entire array of pixel sensor cells formed therein. The highly concentrated region at the bottom of the retrograde well repels signal carriers from the photosensor so that they are not lost to the substrate, and prevents noise carriers from the substrate from diffusing up into the photosensor. Also disclosed are methods for forming the retrograde well.

Ретроградная хорошая структура для imager cmos улучшает эффективность суммы и сигнал-шум коэффициент imager. Ретроградное добро состоят из данной допинг зоны с вертикальн рассортированной концентрацией dopant само низко на поверхности субстрата, и самое высокое на дне добра. Одиночная retrograde наилучшим образом может иметь одиночную клетку датчика пиксела, множественные клетки датчика пиксела, or even весь блок клеток датчика пиксела сформированных в этом. Высоки сконцентрированная зона на дне ретроградного добра отталкивает несущими сигнала от photosensor так, что они не будут потеряны к субстрату, и предотвращает несущие шума от субстрата от отражать вверх в photosensor. Также показаны методы для формировать ретроградное добро.

 
Web www.patentalert.com

< Dental implant structure

< Renewable surface treatment of silicone medical devices with reactive hydrophilic polymers

> Methods of and compositions for potentiating the action of agents active on cell wall sites of the susceptible bacteria

> Halogenated sulphamate-, phosphonate-, thiophosphonate-, sulphonate- and sulphonamide- compounds as inhibitors of steroid sulphatase

~ 00163