A method of forming a dielectric stack on a pre-treated surface. The method
comprises pre-cleaning a semiconductor wafer to remove native oxide, such
as by applying hydroflouric acid to form an HF-last surface, pre-treating
the HF-last surface with ozonated deionized water, forming a dielectric
stack on the pre-treated surface and providing a flow of NH.sub.3 in a
process zone surrounding the wafer. Alternately, the method includes
pre-treating the HF-last surface with NH.sub.3, forming the stack after
the pre-treating, and providing a flow of N.sub.2 in a process zone
surrounding the wafer after the forming. The method also includes
pre-treating the HF-last surface using an in-situ steam generation
process, forming the stack on the pre-treated surface, and annealing the
wafer after the forming. The pre-treating includes providing an inert gas
flow in a process zone surrounding the HF-last surface, reacting hydrogen
with an oxidizer in the process zone for a very short duration, and
providing an inert gas flew in the process zone after the reacting.
Un metodo di formare una pila dielettrica su una superficie pretrattata. Il metodo contiene la prepulizia della cialda a semiconduttore per eliminare l'ossido natale, come applicando l'acido hydroflouric per formare un'HF-ULTIMA superficie, pretrattando l'HF-ULTIMA superficie con ozonated l'acqua deionizzata, formando una pila dielettrica sul di superficie pretrattato e fornendo un flusso di NH.sub.3 in una zona trattata che circonda la cialda. Alternatamente, il metodo include il pretrattamento della superficie HF-ULTIMA con NH.sub.3, formare la pila dopo il pretrattamento e fornire un flusso di N.sub.2 in una zona trattata che circonda la cialda dopo formare. Il metodo inoltre include il pretrattamento della superficie HF-ULTIMA usando un processo di generazione in situ del vapore, formando la pila sulla superficie pretrattata e temprando la cialda dopo formare. Il pretrattamento include fornire un flusso del gas inerte in una zona trattata che circonda l'HF-ULTIMA superficie, reagente l'idrogeno con un oxidizer nella zona trattata per una durata molto corta e fornire un gas inerte ha volato nella zona trattata dopo la reazione.
