Solid-state optoelectronic and electronic devices that use semiconductor
quantum dots for manipulation of photonic or electronic properties include
a semiconductor active region forming a quantum dot heterostructure having
a plurality of quantum dot layers each having discrete quantum hole states
and a p-type impurity layer formed proximate to at least one of the
quantum dot layers to provide excess equilibrium hole charge to occupy at
least some of the discrete quantum hole states to improve To and other
performance characteristics of quantum dot devices.
I dispositivi optoelettronici ed elettronici di Solid-dichiarare che usano i puntini di quantum a semiconduttore per manipolazione delle proprietà photonic o elettroniche includono un semiconduttore che la regione attiva che forma un'eterostruttura del puntino di quantum che ha una pluralità di puntino di quantum fa uno strato di ciascuno che ha foro discreto di quantum dichiara e un p-tipo prossimo formato strato dell'impurità almeno ad uno degli strati del puntino di quantum per fornire la carica eccedente del foro di equilibrio per occupare almeno alcuno del foro discreto di quantum dichiara per migliorare a ed altre caratteristiche di prestazioni del quantum punteggiano i dispositivi.
