A facet-forming layer made of nitride semiconductor containing at least
aluminum is formed on a substrate made of gallium nitride (GaN). A facet
surface inclined with respect to a C-surface is formed on the surface of
the facet-forming layer, and a selective growth layer laterally grows from
the inclined facet surface. As a result, the selective growth layer can
substantially lattice-match an n-type cladding layer made of n-type AlGaN
and grown on the selective growth layer. For example, a laser structure
without cracks being generated can be obtained by crystal growth.
Una capa de faceta-formacio'n hecha del semiconductor del nitruro que contiene por lo menos de aluminio se forma en un substrato hecho del nitruro del galio (GaN). Una superficie de la faceta inclinada con respecto a una C-superficie se forma en la superficie de la capa de faceta-formacio'n, y una capa selectiva del crecimiento crece lateralmente de la superficie inclinada de la faceta. Consecuentemente, la capa selectiva del crecimiento puede substancialmente enrejado-fo'sforo que un n-tipo capa del revestimiento hizo del n-tipo AlGaN y crecido en la capa selectiva del crecimiento. Por ejemplo, una estructura del laser sin las grietas que son generadas se puede obtener por el crecimiento cristalino.
